Uvod u proizvod
TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, a defekti amorfnog ugljika na stijenci cijevi su izuzetno mali. Osnovni diferencirani indikator: efektivna čistoća jednoslojnih karbonskih cijevi je veća ili jednaka 98,5%, značajno veća od čistoće TF1000 od 80%. Metalni pepeo se kontroliše gradijentom do nivoa od stotinu ppm, zaostale nečistoće katalizatora su u velikoj meri smanjene, u osnovi izbegavajući curenje poluprovodničkih uređaja, reakcije na bateriji i probleme sa pomeranjem signala.
Bešavna cevasta struktura jednoslojnog grafena kombinuje balističku elektronsku provodljivost, ultra-visoku elastičnost i ultra-veliku specifičnu površinu (500-1000 m²/g). Količina dodavanja perkolacije može biti samo 0,03% kako bi se formirala provodljiva mreža pune domene, prikladna za 7 nm i manje napredne procesne tankoslojne tranzistore, fleksibilna logička kola, silicijum-ugljične anode visoke čistoće, vojnu i avio-svemirsku laganu zaštitu, ultra-visoku osjetljivost, scenarije visoke osjetljivosti u tragovima i druge biopresjetljive scenarije visoke čistoće.
Fabrika je opremljena kompletnom opremom za testiranje materijala visoke čistoće, uključujući TEM visoke rezolucije, Raman spektroskopiju, TGA termogravimetriju i ICP-OES. Svaka serija se izdaje sa punim setom posebnih izvještaja o ispitivanju sadržaja jednog zida, metalnih nečistoća, promjera cijevi i dužine. Istraživačkim institutima, poluvodičkim preduzećima i vodećim proizvođačima čvrstih baterija daju se samo uzorci visoke čistoće na nivou grama i pilot serije na nivou kilograma. Modifikovani prahovi visoke čistoće sa amino i karboksilnim grupama mogu se prilagoditi tako da se prilagode disperziji vode/organskog rastvarača. Kompletan set RoHS, REACH, specijalnih izvještaja o ICP nečistoćama visoke čistoće i MSDS sigurnosnih listova je kompletan, ispunjavajući stroge standarde revizije pristupa materijala za uvoz i izvoz vojnih i poluprovodničkih proizvoda.
Pakovanje: vakuum vrećice od aluminijumske folije, PE kompozitne vreće, tonske vreće, prilagodljive
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
Tehnički parametri proizvoda
| Testing Item | Specifikacija testiranja | Testing Method |
|---|---|---|
| General Testing | ||
| Izgled | Crno | Vizuelni pregled |
| Tube Diameter | 1,5-1,7 nm | SEM, TEM detekcija |
| Dužina cijevi | >100 μm | - |
| Jednozidne ugljične nanocijevi Čistoća | Veće ili jednako 98,5% | TGA |
| Sadržaj pepela | Manje ili jednako 2000 /<500 / <100 ppm | Metoda pepela |
| Specifična površina | 500-1000 m²/g | Statički analizator adsorpcije dušika |
| G/D omjer | >50 | Raman |

Predstavljanje kompanije
U 2022. godini kompanija je uložila 50 miliona RMB za osnivanje "Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd." u Hezeu, provincija Šandong, sa građevinskom površinom od 4.000 kvadratnih metara. Sada je to nacionalno visokotehnološko preduzeće sa preko deset nezavisnih patenata.
Proizvodnja i razvojni centar druge faze planirana je za izgradnju 2027. godine. Kompanija je prošla ISO9001 međunarodni sertifikat sistema kvaliteta i formirala je napredni centar za proizvodnju nanomaterijala i tehnički servis koji pokriva čitav proces rada, istraživanja i razvoja, pilot proizvodnju i proizvodnju. Trenutno poseduje kompletne proizvodne linije za prah ugljeničnih nanocevi, suspenziju ugljeničnih nanocevi, masterbatch ugljeničnih nanocevi, vlakna ugljeničnih nanocevi i film od ugljeničnih nanocevi.
Posedujemo profesionalna ispitivanja i sertifikate. Za zaista nanorazmjerne ugljične nanocijevi, Tanfeng tehnologija pruža podatke o karakterizaciji za različite modele, kao što su SEM slike, AFM slike, HRTEM slike, Ramanova spektroskopija i uzorci difrakcije rendgenskih zraka na prahu.
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
Osnovne prednosti proizvoda
Čistoća jednog zida Veća ili jednaka 98,5%, izuzetno nizak sadržaj nečistoća i raznog sadržaja cijevi, prilagođavajući se zahtjevima omjera uključivanja/isključivanja poluvodičkih uređaja
U poređenju sa čistoćom jednog zida TF1000 od samo 80%, TF1010 uklanja višeslojne ugljenične cijevi i amorfne ugljične čestice kroz višestepeno prečišćavanje, pri čemu razne nečistoće u fazi čine manje od 1,5%. Kada se koristi u tankoslojnim tranzistorima s efektom polja, omjer uključivanja/isključivanja uređaja se povećava za više od 10 puta, bez curenja ili izobličenja signala uzrokovanih raznim metalnim cijevima, prilagođavajući se istraživanju i razvoju 7 nm i ispod naprednih integriranih kola baziranih na ugljiku.
Dostupna su tri razreda ultra-niskog metalnog pepela, koji u potpunosti rješavaju problem kvara migracije iona metala u tragovima
Pruža tri specifikacije pepela:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.
1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >100 μm ultra-duge netaknute cijevi, izuzetno malo punjenja bez blokiranja prijenosa svjetlosti
Deset hiljada nivoa ultra-visoki odnos širine i visine, provodljiva količina dodatka od čak 0,03%, doza punila smanjena za još 30% u poređenju sa TF1000 za isti provodljivi efekat. Prečnik cevi je daleko manji od talasne dužine vidljive svetlosti, priprema prozirne provodljive filmove bez zamućenja i visokog propuštanja, prilagođavajući se masovnoj proizvodnji sklopivih ekrana i fotonaponskih prozirnih elektroda.
Ultra-high crystallinity G/D >50, izuzetno malo strukturnih defekata zida cijevi, maksimizirana stabilnost elektrohemijskog ciklusa
Zidovi grafenske cijevi s malim defektima smanjuju nuspojave sučelja elektrolita. Kada se koriste u silicijum-ugljičnim anodama i solid-state baterijama, oni mogu u velikoj mjeri potisnuti kontinuirano zgušnjavanje SEI filma, sa životnim ciklusom ćelija poboljšanim za više od 35% u poređenju sa TF1000 osnovnim jednozidnim, prilagođavajući se dugim baterijama visoke klase za putnička vozila.
Može usmjereno odvojiti poluvodičke jednoslojne karbonske cijevi, jezgrini supstrat za fleksibilne čipove male snage
Netaknute jednozidne sirovine visoke čistoće olakšavaju naknadno odvajanje centrifugiranja gradijenta gustine, proizvodeći visok udio poluvodičkih jednoslojnih ugljičnih nanocijevi s visokom mobilnošću nosača i izuzetno niskom potrošnjom energije uređaja, čineći ih osnovnim sirovinama za fleksibilna logička kola nove generacije i mikro senzore.
Ultra velika specifična površina 500-1000 m²/g, ultra-visoka osjetljivost hvatanja molekula u tragovima
Ogromna elektrohemijska aktivna mesta, sa sposobnošću adsorpcije i prepoznavanja gasova, bioloških proteina i tragova molekula teških metala koji daleko premašuju TF1000, prilagođavajući se medicinskim dijagnostičkim biosenzorima i sondama za preciznu detekciju tragova zagađivača životne sredine.
Vojni i svemirski potpuno usklađen sistem visoke čistoće, lagana provodljiva i toplotno provodljiva integrirana strukturna armatura
Formulacije sa niskim sadržajem nečistoća, koje ne precipitiraju, ispunjavaju standarde prihvatanja vazduhoplovnih i vojnih elektronskih komponenti. Ekstremno nisko punjenje može postići trostruke efekte trajne provodljivosti, elektromagnetne zaštite i strukturalnog ojačanja, značajno smanjujući vlastitu težinu komponenti satelita i aviona.


Primjena proizvoda
1. Napredni procesni poluprovodnici bazirani na ugljiku, tankoslojni tranzistori sa efektom polja
Procesna integrirana kola od 7 nm i ispod, fleksibilni logički čipovi, mikro senzorska kola male snage; ultra-visoka čistoća jednog zida osigurava visok omjer uključivanja/isključivanja tranzistora i nisko curenje, zamjenjujući tradicionalne materijale na bazi silicija za istraživanje i razvoj mikro-nano elektronike nakon Mooreove ere.
2. Vojni/vazdušni kompozitni materijali ultra-visoke čistoće
Satelitska lagana elektromagnetna zaštitna kućišta, rasipanje toplote u avionima i provodne integrisane ploče, vojne elektrode uređaja za skladištenje energije; niske metalne nečistoće ispunjavaju dugoročne standarde stabilnog rada vojnih komponenti na orbiti.
3. Vrhunske silikonsko-ugljične anode, sulfidne potpuno čvrste baterije
Konduktivni aditivi namijenjeni silicij-ugljičnim anodama za vrhunsku potrošačku elektroniku i akumulatore za putnička vozila velikog dometa; ultra-niske nečistoće potiskuju samopražnjenje ćelije, ultra-duge karbonske cijevi puferiraju širenje volumena čestica silikona, uvelike produžujući životni vijek ciklusa.
4. Fleksibilne prozirne provodne folije visoke propusnosti, sklopivi OLED displeji
Zamjena oskudnog ITO indijum kalaj oksida, priprema provodljivih filmova visokog propustljivosti bez zamagljivanja, prilagođavanje sklopivim ekranima osjetljivim na dodir, nosivim medicinskim EKG elektrodama i prozirnim kolektorima struje fotonaponskih ćelija, sa slabljenjem otpora ispod 3% nakon hiljadu savijanja.
5. Ultra-visoko precizni biološki i ekološki senzori tragova
Senzori za detekciju medicinskih proteina, detekcija atmosferskih tragova toksičnih plinova, sonde za praćenje teških metala u tragovima vode; ultra-velika specifična površina omogućava prepoznavanje tragova molekula na nivou ppb, sa osetljivošću detekcije superiornom od TF1000 osnovnog jednozidnog.
6. Univerzitetski granični istraživački projekti ultra-visoke čistoće nanomaterijala
Uzorci visoke čistoće posvećeni visokopreciznom laboratorijskom istraživanju i razvoju, kao što su poluvodičko jednozidno kiralno odvajanje, napredni mehanizmi čipova na bazi ugljika, mehanizmi dugog ciklusa baterija u čvrstom stanju i laki kompozitni materijali u vazduhoplovstvu.
lients

FAQ
P1: Koje su razlike u odabiru jezgara između TF1010 ultra-visoke čistoće jednozidnog i TF1000 osnovnog jednozidnog, i kako bi trebali odabrati poluvodičke čipove?
O: TF1000 čistoća jednog zida je samo veća ili jednaka 80%, pogodna za silicijum-ugljične anode, obične fleksibilne provodljive filmove i konvencionalna laboratorijska osnovna istraživanja i razvoj; Čistoća jednog zida TF1010 je veća od ili jednaka 98,5%, s metalnim pepelom od čak 100 ppm, i izuzetno malo raznih cijevi i nečistoća amorfnog ugljika, posebno za poluvodička integrirana kola, vojsku i svemir, ultra-visoko precizno biosenzivanje, vrhunske tolerancije za čvrste i nečistoće; za visoku stabilnost uređaja, malo curenja i duge cikluse, mora se odabrati TF1010.
P2: Kojim scenarijima se prilagođavaju tri specifikacije pepela TF1010?
A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.
P3: Čistoća jednog zida TF1010 od 98,5%, koliko poboljšanja donosi omjer uključivanja/isključivanja tranzistora?
O: Budući da TF1000 sadrži velike količine raznih cijevi s više zidova, omjer uključivanja/isključivanja tranzistora je samo 10³–10⁴; TF1010 ima izuzetno malo raznih nečistoća u fazi, a nakon odvajanja, omjer uključivanja/isključivanja uređaja poluvodičke karbonske cijevi može doseći iznad 10⁷, ispunjavajući zahtjeve performansi naprednih procesnih čipova.
P4: Kada se TF1010 koristi u solid-state baterijama, koliko se samopražnjenje ćelije može smanjiti u odnosu na TF1000?
O: TF1010 metalne katalitičke nečistoće su znatno smanjene, 30-dnevno slabljenje kapaciteta skladištenja čvrstih ćelija na sobnoj temperaturi smanjeno je za 40%, a životni vijek je poboljšan za 35%, prilagođavajući se pilot masovnoj proizvodnji dugotrajnih solid-state baterija za proizvođače automobila.
P5: Da li je TF1010 prah teško raspršiti i može li se prilagoditi poluvodičkoj litografiji koja podržava suspenziju?
O: Amino modificirani prah visoke čistoće TF1010 može se prilagoditi, prilagođavajući se litografiji posvećenoj disperziji organskog rastvarača niske nečistoće, bez tragova metala koji kontaminira pločice; naša kompanija može ponuditi rješenja za proces disperzije sa niskim smicanjem visoke čistoće.
P6: Za izvozne vojne i poluprovodničke projekte, može li TF1010 izdati posebne izvještaje o testiranju nečistoća metala visoke čistoće?
O: Svaka serija ima nezavisnu ICP-OES listu za ispitivanje pepela visoke čistoće, precizno označavajući zaostali sadržaj različitih metala katalizatora. Kompletan set dokumenata RoHS, REACH i MSDS je kompletan, ispunjavajući revizije treće strane za vojne i poluprovodničke materijale za uvoz i izvoz.
P7: Koju propusnost može postići TF1010 u pripremi prozirnih provodljivih filmova? Ima li problema sa maglom?
O: Propustljivost filma veća ili jednaka 90%, zamagljivanje<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.
Popularni tagovi: tf1010 jednozidne ugljične nanocijevi u prahu, Kina tf1010 jednozidne ugljične nanocijevi u prahu proizvođači, dobavljači, tvornica













